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安居院 あかね; 川合 真大*; 永田 知子*; 水牧 仁一朗*; 池田 直*
no journal, ,
LuFeOはTco=320Kで電荷秩序転移を起こし、電荷秩序相では2価と3価のFeが秩序配列する。LuFeOのFe2p-3d発光分光測定を行ったところ、そのスペクトルは2価のFeと3価のFeそれぞれに由来するスペクトルの単純な重ね合わせでは説明できないことがわかった。これはFe2p電子が励起されたときに2価のFeと3価のFeの中間状態が干渉することから起こる非局所発光が起こったためと考えている。
稲見 俊哉; 石井 賢司; Jarrige, I.*; 吉田 雅洋*; 光田 暁弘*
no journal, ,
ランタノイドの吸収端や吸収端でのX線吸収分光は、電子の価数や空間対称性、混成を研究するうえで有用な手法である。一方、この手法の欠点は軟X線の固体への侵入長が非常に短いことである。X線Raman散乱法(XRS)はX線吸収スペクトルを得るための代わりの方法である。高エネルギーの入射X線はそのエネルギーの一部をさまざまな励起に与えることができ、得られたエネルギー損失スペクトルは吸収スペクトルに対応する。高エネルギーX線の長い侵入長はこの手法をバルク敏感にしており、極限環境への適用も容易である。この手法は軽元素に長い間適用されてきたが、近年発見された大きな運動量遷移での鋭いプリエッジ構造により、XRSはランタノイドやアクチノイドといった重元素の電子構造の研究に有用な新しい手法として認識されるようになった。ここでは、このXRSの混合原子価状態への適用の可能性について研究した。試料としては、150Kで大きく鋭い価数転移を示すEuPdSiを用いた。得られたXRSスペクトルは明確なEuのと吸収構造を示した。しかし、予想に反して、スペクトルの温度変化は全く観測されなかった。
石井 賢司
no journal, ,
Carrier doping often induces significant change of the electronic properties of Mott insulators and behavior of the doped carriers is one of the central issues in strongly correlated electron systems. Doped cuprates is a suitable system for studying the carrier dynamics because their electronic structure near the Fermi energy can be described by a limited number of electronic orbitals. While spin dynamics of the doped cuprates has been extensively studied by inelastic neutron scattering and more recently by Cu L-edge RIXS, Cu K-edge RIXS stands for a tool for measuring charge dynamics. I will present here Cu K-edge RIXS studies focusing on the charge dynamics in doped cuprates. Recently, a dispersive excitation below the charge-transfer gap was observed in the hole-doped cuprates, LaSrCuO and BiPbSrCuO, by appropriately selecting the resonant condition. Momentum dependence of the excitation is similar to that in the electron-doped cuprate NdCeCuO. Because RIXS intensity at the resonant condition can be ascribed to the dynamical charge correlation function, this result is an experimental evidence of the similarity of the charge correlation function between hole- and electron-dope systems.